SK hynix Анонсировала Разработку Новейшей Памяти HBM3E для Искусственного Интеллекта

Корейская компания SK hynix объявила о создании самой производительной памяти HBM3E, разработанной специально для использования в современных системах искусственного интеллекта. Образцы продукции уже поставляются заказчикам для тестирования технических характеристик.

HBM3E – это пятое поколение памяти данного типа, предшествующим которому были HBM, HBM2, HBM2E и HBM3. HBM3E – это усовершенствованная версия HBM3. Массовое производство HBM3E компания SK hynix планирует начать в первой половине следующего года.

По словам разработчика, память HBM3E соответствует самым высоким отраслевым стандартам скорости передачи данных. Это делает ее идеальным решением для наиболее требовательных ИИ-платформ. Более того, при проектировании памяти уделялось особое внимание рассеиванию тепла. Заявляется, что продукция HBM3E способна передавать информацию со скоростью до 1,15 Тбайт/с.

При производстве чипов SK hynix использует технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), которая представляет собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке через процесс спайки. Это позволяет улучшить теплоотвод на примерно 10%. Кроме того, отмечается обратная совместимость с HBM3, что упрощает интеграцию новой памяти.

Согласно оценкам, доля SK hynix на мировом рынке HBM памяти составила около 50% к концу 2022 года. В текущем году ожидается, что этот показатель составит 46–49%, а в 2024 году – 47–49%.

С этими инновационными шагами в развитии высокопроизводительной памяти, SK hynix продолжает подтверждать свою репутацию лидера в индустрии полупроводников и внедрения передовых технологий.